沒有 EUV 的 11.95 奈米：CXMT G5 DRAM 平台進入量產

在 DRAM 微縮的物理學裡，半間距（half-pitch）是最誠實的數字。行銷用的製程節點名稱——「1c」、「1γ」、「12nm 級」——都只是代稱；記憶體陣列的半間距，才是晶圓廠真正能印出來的東西。週日，在中國合肥舉行的 2026 世界製造業大會上，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）宣布其第五世代 DRAM 技術平台 G5 已進入量產，主動區半間距達到 11.95 奈米——這個數字，讓這家中國記憶體廠的量產輸出，正式站上與三星、SK 海力士、美光最先進量產 DRAM 同一個量級。

而且，這一切是在沒有任何一台 EUV 微影機的情況下完成的。

CXMT 宣布了什麼

這場在 CXMT 大本營合肥發表的 G5 平台宣布，透過公司聲明向《環球時報》確認，帶著四個硬數字：

• 11.95 奈米記憶體陣列半間距，採用自我對準四重圖形（SAQP）技術達成——這種「重複沉積與蝕刻」的技巧，讓 DUV 浸潤式掃描機能印出遠低於其名目解析度的特徵。
• 45:1 的電容深寬比，靠製程流程重新設計與新材料整合支撐。DRAM 電容是所有量產半導體中最深的結構；在更細的間距下做出更高、更窄的電容堆疊，正是密度微縮的核心。
• DRAM 最佳化的高介電金屬閘極（HKMG）製程，將核心記憶體陣列高度降到 6,762 奈米——更平坦的陣列，讓蝕刻與填膜的均勻性更容易在全晶圓上維持。
• 每片晶圓的裸晶產出比第四世代平台增加至少 50%，同時改善能源效率與成本控制。

在平台之外，CXMT 表示兩款基於 G5 的 LPDDR5X 產品也已進入量產：兩者都是 24Gb（3GB） 容量——比前一世代的同級產品高出 50%——分別採用 496 球與 245 球封裝，瞄準中高階智慧型手機與可攜式消費電子，且已導入中國主流旗艦手機。

公司同時報告了多個關鍵製程模組的進展，包括介面工程、馬鞍鰭（saddle-fin）結構與低介電係數間隔物位元線——這些不炫技的製程細節，決定了一個節點是活在投影片裡，還是活在晶圓廠裡。

為什麼「用 SAQP 而非 EUV」才是真正的故事

自 2019 年以來，美國出口管制一直禁止中國晶片製造商購買 ASML 的 EUV 掃描機。三星、SK 海力士與美光的最先進 DRAM 節點全都使用 EUV。多年來產業分析的通行結論是：這項禁令會把中國記憶體永久卡在落後一至兩個世代的位置。

CXMT 的回答，是把多重圖形化做到工業化極致。SAQP 以四次以上的沉積與蝕刻步驟，細分 DUV 掃描機單次印出的圖形，代價是極沉重的製程控制負擔：每一次額外的圖形轉移，都會疊加對位誤差與缺陷。能夠在量產中達到 11.95 奈米半間距——而且每片晶圓裸晶良率還比前一個節點高出 50% 以上——是目前為止最有力的證據，證明 DUV 的天花板比外界假設的更高，至少對 DRAM 陣列這種高度規則、週期性排列的結構是如此。

但必須講清楚但書。DRAM 的規則幾何，本來就比邏輯晶片的不規則佈線更適合多重圖形化——這也是為什麼中芯國際（SMIC）在邏輯製程上的同類成就，仍落後一個節點。而且半間距追平，不等於全面追平：單裸晶位元密度、介面速度、HBM 整合、以及 24Gb 容量下的良率，都是韓美大廠仍握有實質領先的維度——正如 CXMT 自己的 LPDDR6 首發所顯示的，其第一代產品速度與 SK 海力士採用 EUV 的同級品之間，仍有可量測的差距。

但方向明確得毫無疑義。2025 年 2 月，CXMT 被報導以 17 奈米級節點生產 DDR5。十九個月後，它以逼近一線大廠量產平台的密度經濟性，在 11.95 奈米量產。這等於把技術差距從約兩個世代，壓縮到接近一個世代——而且在陣列微縮這個特定指標上，已趨近於零。

它落地在什麼樣的市場裡

時機再關鍵不過。集邦科技（TrendForce）報告指出，2026 年第二季全球 DRAM 產業營收季增 59.5%，達約 1,547 億美元——AI 伺服器對 HBM3E 與 RDIMM 的需求，推升合約價的速度快過供給回應。「供給擴張持續落後需求成長」——這正是教科書上說的、一個具備可信產能的新進者會被市場歡迎而非視為攪局者的條件。

在這波榮景裡，市占數字說明了競爭態勢。第二季三星以約 38% 的 DRAM 市占居首，SK 海力士 25%、美光 24%——而 CXMT 的份額上升到約 10%，穩居全球第四。彭博（Bloomberg）八月報導，CXMT 在智慧手機記憶體上正具體縮小差距；其 LPDDR6 搶在三星與 SK 海力士的次世代行動記憶體之前量產，並首發搭載於小米 18 Fold 旗艦。週日的 G5 宣布，則為這股產品動能補上了製程地基：LPDDR6 與後續產品都將建構在這個節點上。

兩股需求側的力量，放大了它的戰略分量。第一，裝置端 AI：本地大型語言模型、即時翻譯與代理式助理，都會先撞上記憶體頻寬牆、才撞上算力牆——這正是這一輪每一顆中國旗艦 SoC（包括小米 3 奈米 Xring O3）都圍繞次世代記憶體設計的原因。具備前沿密度的本土 LPDDR 供應，如今是國家級 AI 基礎建設優先事項，而不是採購偏好。第二，吃記憶體的 AI 資料中心已把手機廠完全擠出配額佇列：今年稍早 LPDDR5X 現貨價單季上漲近 80%，給了每一家 OEM 充分理由去驗證第二供應來源。CXMT 表示，其 G5 產品已進入中國主流旗艦手機。

地緣政治的背景幕

這一切都不是發生在純商業真空裡。CXMT 目前在美國國防部「涉解放軍企業清單」上——該認定正由公司積極提起訴訟挑戰——而它的崛起，是華府一場持續辯論的現成論據：出口管制究竟是拖慢了領先者，還是只是把對手的創新導向了圖形化的替代路徑。公司執行長曾公開表示，CXMT 對供貨蘋果保持開放——這個想法每隔一段時間就浮上檯面，也持續面臨顯而易見的政治阻力。

對北京而言，算盤很簡單。DRAM 是科技業集中度最高的市場之一：三家外國公司掌控全球約 90% 供給，而每一座中國 AI 資料中心、每一支手機、每一台伺服器，都在向這個寡占結構買貨。一家擁有 10% 市占、且節點微縮達到量產同級的本土供應商，把戰略脆弱性轉換成了談判籌碼——這正是分析師馬繼華在宣布現場對《環球時報》所做的框架：「供應鏈韌性與更多採購選項」。

對三星、SK 海力士與美光來說，令人安心的解讀是：CXMT 仍是快速追隨者——HBM 落後（CXMT 的本土 HBM3E 才剛起步）、介面速度落後、依賴 DUV 及其每層成本劣勢。令人不安的解讀則是那條良率曲線：前一節點 DDR5 良率突破 90%、G5 每片晶圓裸晶產出增加 50% 以上、LPDDR6 搶先上機——每一個數據點都在壓縮自滿的空間。DRAM 產業見過快速追趕者後來居上，它的名字叫三星，而被它取代的那些 incumbent，是美國人。

後續觀察指標

三個訊號將決定 G5 是里程碑還是高原期。第一，24Gb 良率的實地數據——G5 的密度宣稱，最終要由每片晶圓在成熟量產下真正产出多少顆良好裸晶來檢驗，而這個數字只有拆解報告與供應鏈數據會揭曉。第二，LPDDR6 速度能否在 G5 節點上爬升，向 SK 海力士 EUV 級的 14.4 Gbps 靠攏，縮小目前最顯眼的 DUV 罰款。第三，HBM：如果 CXMT 能把 G5 裸晶堆疊成有競爭力的 HBM3E 級產品、供應本土 AI 加速器市場，這件事的意義將從行動記憶體，直接跳升到 AI 算力鏈本身。

無論如何，合肥發布會上有一個數字值得記住：11.95 奈米，量產中，用的是出口管制特意要拒絕供應的設備所做出的替代方案。管制沒有失敗——它只是逼出了一條更難、更慢的路。但這條路，終究通向原本要去的方向。